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S5-Nanofios semicondutores

Áreas temáticas: Semicondutores, Nanotecnologia

Coordenador: Antônio José Roque da Silva, Instituto de Física, USP

Nos últimos anos houve um enorme crescimento na área de pesquisa dedicada aos estudos de materiais nanoestruturados. Do ponto de vista experimental, os desenvolvimentos estão intimamente ligados às melhorias nas técnicas de síntese, caracterização e manipulação desses nanosistemas, e do ponto de vista teórico eles estão associados a avanços metodológicos bem como ao impressionante aumento da capacidade computacional de cálculo. Dentre os materiais nanoestruturados, nanofios semicondutores têm recebido destaque especial pelas suas ricas propriedades intrínsecas, bem como pelos seus potenciais para fabricação de novos dispositivos. Nanofios semicondutores são estruturas unidimensionais, com diâmetros que variam desde poucos nanômetros até algumas dezenas de nanômetros. Eles podem ser compostos somente de um elemento, como nanofios de Si ou Ge, bem como de dois ou mais elementos, como fios de GaAs, InP, ZnO e GaAsP, por exemplo. Vários tipos de dispositivos já foram fabricados com esses sistemas, como sensores, FETs, pontos quânticos, etc. O objetivo desse simpósio é reunir pesquisadores que têm trabalhado com esses sistemas, com o foco de criar um ambiente de discussão que irá abordar o atual estágio de desenvolvimento na pesquisa experimental e teórica em nanofios semicondutores.

 


 

Palestrantes Convidados:
Monica Cotta (UNICAMP)
Peidong Yang (UC Berkeley)
Ricardo Wagner Nunes (UFMG)
Rodrigo G. Lacerda (UFMG)